[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210942473.8 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116469880A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉明;邱怡瑄;陈相甫;连刚逸;陈俊纮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一衬底，具有相反的第一侧和第二侧；第一导电层，位于第一衬底的第一侧上；以及第二衬底，具有相反的第一侧和第二侧。第二衬底的第二侧接合到第一衬底的第一侧。第二衬底包括：半导体材料；以及至少一个电路元件，电耦合到第一导电层。至少一个电路元件包括以下项中的至少一者：肖特基二极管，由半导体材料和第一接触结构配置；电容器，具有半导体材料的第一电极；或半导体材料的电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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