[发明专利]半导体装置、基板及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210943543.1 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116190322A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 丹羽惠一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够使芯片更适当地连接于基板的半导体装置、基板及半导体装置的制造方法。本实施方式涉及的半导体装置具备：基板，其具有第1面、与所述第1面相反侧的第2面、设置在所述第1面上的多个导电连接部以及多个柱状电极，所述多个柱状电极设置为分别从多个所述导电连接部朝向所述第2面延伸，并具有锥形形状；和半导体芯片，其具有与所述第1面相对向的第3面和多个连接凸块，所述多个连接凸块设置在所述第3面上，并分别与多个所述导电连接部电连接，在供所述半导体芯片配置的所述第1面上的芯片区域中的第1区域配置的所述柱状电极具有与配置于所述芯片区域中的第2区域的所述柱状电极相反方向的锥形形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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