[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210950578.8 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115835732A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 中井佑亮;石川琢磨;谷川兼一;川田宽人 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H10K59/50 | 分类号： | H10K59/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 马建军;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置。在层叠有光学元件膜的半导体装置中，通过在其表面配置微透镜，能够实现更高性能化，但由于距透镜的距离因层叠的光学元件膜而不同，因此透镜的聚光率因光学元件膜而出现差异，因此，难以通过一个透镜高效地实现期望的颜色特性。半导体装置具有：G层(12G)，其包含绿色发光元件(14G)；R层(12R)，其包含转换效率比绿色发光元件(14G)低的红色发光元件(14R)；微透镜(115)。绿色发光元件(14G)和红色发光元件(14R)在微透镜(115)的光轴方向上位于微透镜(115)与其焦点(115a)之间，从光轴方向观察至少一部分重叠，配置成红色发光元件(14R)比绿色发光元件(14G)更靠近焦点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲电气工业株式会社，未经冲电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210950578.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
