[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210954083.2 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115295528A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 黄品绮;方建章;薛荣鋐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11521;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含栅极结构于基材上。介电膜堆叠于栅极结构和基材上，介电膜堆叠包含，第一层间介电层于基材与和栅极结构上，阻障层于第一层间介电层上，以及第二层间介电层于阻障层上。以及延伸穿过介电膜堆叠的接触，其中接触侧壁的上部具有第一斜度。接触侧壁的下部具有不同于第一斜度的第二斜度，以及自第一斜度至第二斜度的转折，转折存于延伸穿过阻障层的接触的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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