[发明专利]使用肼基前体沉积氮化硼膜在审
| 申请号： | 202210954423.1 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115704091A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | C.德泽拉;T.布兰夸特 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C07F5/02;C01B35/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成高质量a‑BN层的方法。该方法包括使用前体化学物质，该化学物质特别适用于循环沉积过程，例如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等。简而言之，描述了由能够通过CVD、ALD等生长无定形BN(a‑BN)膜的前体形成氮化硼(BN)层的新方法。在一些情况下，前体是或包括肼或肼衍生物的硼烷加合物。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 肼基前体 沉积 氮化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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