[发明专利]具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件在审
| 申请号： | 202210954588.9 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115706148A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | N·穆;翁向扬 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件。用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构和形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法。该结构包括：位于半导体衬底中的漂移阱；位于半导体衬底中的源极区和漏极区；位于半导体衬底上的栅极介电层；以及位于漂移阱上方的半导体衬底上的缓冲介电层。缓冲介电层包括与漏极区相邻的第一侧边缘、与栅极介电层相邻的第二侧边缘、从第二侧边缘延伸到第一侧边缘的第一分段、以及从第二侧边缘朝向第一侧边缘延伸的多个第二分段。第一分段具有第一厚度，并且第二分段具有小于第一厚度的第二厚度。栅极电极包括与缓冲介电层重叠的和与栅极介电层重叠的相应部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 厚度 缓冲 介电层 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
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