[发明专利]一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210962752.0 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115295629A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张磊;李东旭;王欢;于军胜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/42;H01L21/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 王大刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管及其制备方法；其中，TFT器件包括绝缘层，氧化物有源层，修饰层，以及源漏栅三个电极。本发明在底栅顶接触型TFT结构的基础上，在绝缘层和有源层之间创新性地加入了修饰层，制备基于修饰层的非晶氧化物薄膜晶体管，在紫外光照射下，修饰层呈现出有序的条纹状结构，因此，表面粗糙度散射效应减小，从而提高TFT的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 修饰 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州），未经电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210962752.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
