[发明专利]一种碳化硅单晶中基平面位错的检测方法在审
| 申请号： | 202210967157.6 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115896954A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;王垚浩;陈秀芳;杨祥龙;于国建;熊希希 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，具体的，沿碳化硅单晶的纵向切割，同时纵切片表面与碳化硅单晶中的一组基平面位错线的延伸方向相垂直或近似垂直，由于碳化硅单晶中基平面位错的延伸方向主要平行于[1‑100]、[10‑10]、[01‑10]三个等价的方向且三个等价方向互为60°，所以，三个方向的基平面位错便可以保证均与纵切片的表面相交，进而在使用熔融的强碱腐蚀液对纵切片腐蚀时，根据熔融的强碱熔液会优先腐蚀含有位错的区域的规律，纵切片中三个方向的基平面位错的腐蚀坑均会显露出来。因此，本申请提供的检测方法可以准确获知碳化硅单晶中基平面位错的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶中基 平面 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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