[发明专利]非易失性存储器件在审
申请号: | 202210971323.X | 申请日: | 2022-08-12 |
公开(公告)号: | CN115995257A | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
发明(设计)人: | 朴相元;任琫淳;金炳秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种非易失性存储器件,包括:在竖直方向上堆叠在衬底上方的多条字线;擦除控制线,在第一方向上彼此间隔开并沿第二方向延伸;通道晶体管电路,包括与第一组擦除控制线连接的第一通道晶体管、以及与第二组擦除控制线连接的第二通道晶体管;以及存储单元阵列,包括多个块。第一组擦除控制线相对靠近字线切割区,而第二组擦除控制线相对远离字线切割区。多个块中的每一个包括与字线和擦除控制线连接的多个沟道结构,并且每个沟道结构沿竖直方向延伸。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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