[发明专利]反应腔室和晶圆对准方法在审
| 申请号： | 202210973128.0 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115332137A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 伊藤正雄;林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/687;G01V8/10 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 束智伟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种反应腔室和晶圆对准方法，反应腔室包括承载机构、驱动机构、光路检测组件、腔体和控制组件，承载机构具有用于承载晶圆的承载面，承载机构通过驱动机构活动安装于腔体；光路检测组件包括光发射器和光接收器，光接收器用于探测光发射器发射出的光线，控制组件用以控制承载机构围绕腔体的轴线作旋转运动至预设时长，且获取承载于承载机构的晶圆与承载机构之间的偏离参数；控制组件还用于在偏离参数不为零的情况下，基于偏离参数，控制驱动机构驱动承载机构沿垂直于轴线方向的水平方向运动，以使晶圆的圆心位于腔体的轴线上。上述反应腔室可以使晶圆尽可能得保持相对居中的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 对准 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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