[发明专利]半导体结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210975462.X | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115332347A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 赵文礼;李晓杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，半导体结构包括：基底；有源柱，所述有源柱位于所述基底上且沿第一方向和第二方向阵列排布，所述有源柱包括沟道区；沿第二方向延伸的字线，所述字线环绕沟道区的有源柱，所述字线包括层叠的第一导电层以及第二导电层，沿所述第一方向相邻的所述第一导电层之间的间距大于沿所述第二方向相邻的所述第一导电层之间的间距；所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向或者平行于所述基底表面的方向中的一者，所述第二方向为垂直于所述基底表面的方向或者平行于所述基底表面的方向中的另一者。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升存储密度的同时，提高字线的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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