[发明专利]基于高阻硅工艺的高滚降系数和宽带外抑制的带通滤波器在审
| 申请号： | 202210975772.1 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115208345A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 吴文敬;王高峰;程一峰 | 申请（专利权）人： | 杭州泛利科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/01 | 分类号： | H03H7/01;H01L23/522 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱亚冠 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开基于高阻硅工艺的高滚降系数和宽带外抑制的带通滤波器。在传统的三阶高通滤波器和三阶带通滤波器的混合拓扑结构的基础上，通过引入交叉电容耦合，综合考虑器件尺寸删减一些对性能不敏感的元器件，从而达到宽带外抑制能力和高滚降系数以及小型化的目的；上边带传输零点主要由并联的电感电容谐振单元构成，下边带传输零点主要由交叉耦合电容构成，上边带的其余两个传输零点主要由紧凑结构的感性或者容性耦合引起，从而实现宽带外抑制性能。IPD带通滤波器具有结构紧凑、带内插损小、宽带外抑制性能和高滚降系数的特点，能够易于其他射频模块集成到一个模组中，实现5G频段3.3～4.2GHz的良好通信。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 高阻硅 工艺 高滚降 系数 宽带 抑制 带通滤波器 | ||
【主权项】：
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