[发明专利]具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202210977223.8 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115394885A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 彭青;刘小星;郝亚磊;高艳龙;尹灵峰;梅劲;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底以及依次层叠在衬底上的半导体层、电流阻挡层和电流扩展层；电流阻挡层的侧面为斜面，电流阻挡层包括层叠在半导体层上的多个子层，多个子层在同一种刻蚀溶液中具有不同的刻蚀速率，且相邻的子层中，远离衬底的子层的刻蚀速率大于靠近衬底的子层的刻蚀速率。电流阻挡层的侧壁不同区域的刻蚀速率不同，侧壁上距离衬底更远的区域具有更大的刻蚀速率，使得电流阻挡层的侧壁更容易被刻蚀成坡度更小的斜面，有利于增大电流扩展层覆盖在斜面上的部分的厚度，从而减少由电流阻挡层位于斜面上的部分厚度过薄引发的不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 阻挡 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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