[发明专利]沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210985653.4 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115295626A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王新中;李轩;娄谦;梁军;岳德武;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管及其制备方法，通过引入双沟槽结构及P型侧墙区实现P+屏蔽层状态自动切换：阻断状态时，P+屏蔽层通过P型侧墙区连接到P型基区，有效屏蔽栅氧化层电场；正向导通时，P型侧墙区完全耗尽形成势垒区，P+屏蔽层电位抬升，提高正向导通能力；短路状态时，P+屏蔽层电势提升克服势垒，电势被钳位并且能够导通空穴电流，提升器件短路能力。本发明在保证沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管栅氧化层可靠性的前提下，保持低正向导通电压及低开关损耗优势，兼顾器件短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 绝缘 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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