[发明专利]GGNMOS结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210986825.X | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115394771A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 方明旭;钱园园;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GGNMOS结构及其制备方法，其中GGNMOS结构包括：其上形成有外延层的衬底，所述外延层中形成有阱区和多个轻掺杂漏区；堆叠的栅极和栅氧化层；保护层；漏极区域上的多个阻挡结构；多个体区；以及源极区域的轻掺杂漏区中的一重掺杂区和漏极区域的轻掺杂漏区中的多个重掺杂区。本申请通过在漏极区域表面形成的多个阻挡结构，并在所述阻挡结构之间的轻掺杂漏区的底部形成多个体区，降低重掺杂区和轻掺杂漏区与体区的击穿电压，降低GGNMOS结构的触发电压。进一步的，间隔设置的多个阻挡结构自对准工艺可以阻止漏极区域部分重掺杂离子的注入，增加了漏极的导通电阻，提高了ESD阵列的均匀性和鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | ggnmos 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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