[发明专利]薄膜沉积的方法在审
申请号: | 202210988828.7 | 申请日: | 2022-08-17 |
公开(公告)号: | CN115418629A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 钱心嘉;孙琼;胡未能 | 申请(专利权)人: | 杭州富芯半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 丁俊萍 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种薄膜沉积的方法,其包括下列步骤:设备提供步骤:提供具N个工位的反应腔,每个工位设置一个衬底,N个衬底能够在N个工位循环移动,其中在N个工位中选择其中相邻两个工位为第一工位和第二工位,第一工位和第二工位用于沉积第一薄膜,且其他多个工位分别为第三工位至第N工位分别用于沉积第二薄膜至第N‑1薄膜;第一薄膜沉积步骤:将两个衬底在第一工位和在第二工位同步沉积所述第一薄膜;以及,其他薄膜沉积步骤:分别在第三工位至第N工位使已沉积第一薄膜至第N‑2薄膜的衬底沉积第二薄膜至第N‑1薄膜。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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