[发明专利]薄膜沉积的方法在审

专利信息
申请号: 202210988828.7 申请日: 2022-08-17
公开(公告)号: CN115418629A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 钱心嘉;孙琼;胡未能 申请(专利权)人: 杭州富芯半导体有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 丁俊萍
地址: 310000 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种薄膜沉积的方法,其包括下列步骤:设备提供步骤:提供具N个工位的反应腔,每个工位设置一个衬底,N个衬底能够在N个工位循环移动,其中在N个工位中选择其中相邻两个工位为第一工位和第二工位,第一工位和第二工位用于沉积第一薄膜,且其他多个工位分别为第三工位至第N工位分别用于沉积第二薄膜至第N‑1薄膜;第一薄膜沉积步骤:将两个衬底在第一工位和在第二工位同步沉积所述第一薄膜;以及,其他薄膜沉积步骤:分别在第三工位至第N工位使已沉积第一薄膜至第N‑2薄膜的衬底沉积第二薄膜至第N‑1薄膜。
搜索关键词: 薄膜 沉积 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州富芯半导体有限公司,未经杭州富芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210988828.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top