[发明专利]一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法有效
申请号: | 202210993002.X | 申请日: | 2022-08-18 |
公开(公告)号: | CN115287598B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 张侃;吕航;杨丽娜;文懋;郑伟涛 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54;B82Y30/00;B82Y40/00;C22C9/00 |
代理公司: | 北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙) 16025 | 代理人: | 侯文峰 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法,硬质铜合金包括由非晶硼基质包裹纳米级柱状铜晶构成的类竹子结构,纳米级柱状铜晶的平均直径为10nm,纳米级柱状铜晶内部晶格条纹一致,长度贯穿整个硬质铜合金,并采用磁控共溅射方法制备了硬质铜合金。本发明采用上述的一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法,其中的铜和硼是两种近乎完全不互溶的元素,并且具有非常相近的电负性,使其很难形成有序合金和共价键,本发明利用这种特殊的完全不互溶的体系与磁控溅射的工艺调控,成功构建出了具有类竹子结构的纳米级柱状晶铜合金,实现了硬度的大幅度提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 工艺 制备 纳米 柱状 硬质 铜合金 方法 | ||
【主权项】:
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