[发明专利]非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储系统在审
| 申请号： | 202210996420.4 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115996575A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 崔茂林;张允瑄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器件，包括：第一结构，该第一结构包括第一衬底、外围电路、第一绝缘结构、多个第一接合焊盘、以及第一互连结构；第二结构，该第二结构包括导电蚀刻停止层、公共源极线层、包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层的堆叠结构、穿透堆叠结构的单元区域的多个沟道结构、第二绝缘结构、多个第二接合焊盘、以及第二互连结构，并且该第二结构接合到第一结构；以及连接层，该连接层包括第三绝缘结构、输入/输出通孔、以及输入/输出焊盘，其中，第二绝缘结构和第三绝缘结构之间的界面设置在导电蚀刻停止层的顶表面和底表面之间的竖直高度处。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 包括 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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