[发明专利]LDMOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202210998915.0 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115424932A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张晗;杨新杰;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件及工艺方法。在外延层的表面具有STI及STI2；所述外延层中还具有埋层；在所述埋层上方的边缘位置具有第一深阱，所述埋层与边缘的第一深阱形成一隔离空间；所述第一深阱的外侧，间隔一STI具有第三阱，所述第三阱中具有重掺杂引出区形成引出；所述第三阱形成隔离环；在所述的隔离空间的中心区域具有所述LDMOS器件的体区；体区两侧为所述LDMOS器件的漏区，所述漏区与体区之间的外延层表面间隔有STI2；所述LDMOS器件的栅极一侧顶部与STI2的表面覆盖金属硅化物并形成一个场板。本发明结构抬高了漂移区电场，有效改善了器件漂移区电场分布，有助于漂移区电场耗尽展开，能够提高器件的击穿电压BV，同时通过控制STI2的深度，可以提高器件的offBV。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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