[发明专利]一种提高MTP编程能力的工艺方法在审
| 申请号： | 202210998952.1 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115424984A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王乐平;隋建国;郑书红;尤鸿朴;康轶瑶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高MTP编程能力的工艺方法，包括：提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在衬底表面形成栅极；采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除第一掩膜层；在所述栅极的两侧形成侧墙；采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。本发明的工艺方法仅采用了两次掩膜，进行两次光刻，使工艺流程相对简化，成本降低，并且在LDD斜打注入时对MTP单元区域进行了掩膜保护，避免LDD斜打注入对MTP单元编程能力的影响，保证MTP单元的编程能力在较高水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mtp 编程 能力 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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