[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211001499.9 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115332321A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;吴敏敏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少所述沟道区环绕所述中空区；沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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