[发明专利]一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子学技术领域。本发明中，叠层源漏电极结构包含一种少数载流子注入阻挡层，能够在导电源漏电极与有机半导体有源层之间形成I型或者II型异质结界面，即，在导电源漏电极与有机半导体有源层之间形成少数载流子的注入势垒，阻挡少数载流子由导电源漏电极注入到有机半导体有源层中，减缓器件沟道中由于少数载流子注入导致的载流子捕获、复合过程，提升有机薄膜晶体管的偏压应力稳定性。且所述少数载流子注入阻挡层不影响多数载流子由导电源漏电极向沟道的注入过程。