[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211004673.5 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN116013914A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 村田悠马;加藤辽一;多田慎司 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/48;H01L23/538;H01L23/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实现能够确保绝缘距离并且降低电感的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块包括设置在第一壳体的第一绝缘纸、设置于它们之间的第一端子、以及设置在第一绝缘纸的与第一端子侧相反的一侧的第二端子。在俯视时，第一绝缘纸在方向上具有第一宽度，且具备更小的第二宽度的切口部。第一端子在俯视时以连接区域位于切口部的状态被第一绝缘纸覆盖，并在方向上具有比第一宽度小且比第二宽度大的第三宽度。第二端子位于比连接区域更靠壳体的内侧的位置。将第一端子设为比与连接区域和第二端子分别连接的电容器的正负极端子的宽度宽，确保绝缘距离并且降低电感。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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