[发明专利]一种离子注入工艺监控方法有效
| 申请号： | 202211011240.2 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115083875B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 朱红波;苏小鹏 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/304 | 分类号： | H01J37/304;H01J37/317;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入工艺监控方法及其离子注入工艺，该离子注入工艺监控方法包括以下步骤：提供一待离子注入晶圆，并于晶圆的上表面依次形成保护层及光阻层，将晶圆固定于靶盘上，基于光阻层对晶圆进行离子注入；读出离子注入机台的工作日志中离子束带的扫描位置及等离子体发射枪产生的发射电流数据并导出，基于导出数据绘制扫描位置与发射电流实时变化曲线；提供参照曲线，并将实时变化曲线与参照曲线进行对比以确认机台是否正常工作。本发明通过读取并导出离子注入机台工作日志中的离子束带扫描位置与发射电流的数据，绘制成离子束带扫描位置与发射电流的实时变化曲线并与参照曲线对比，实现了离子注入工作状态的在线实时判断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 工艺 监控 方法 | ||
【主权项】：
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