[发明专利]压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备在审
| 申请号： | 202211013110.2 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115360088A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 丁凯文;朱恩成;周汪洋;张强;陈磊 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/84;G01L19/04;G01K7/16;H01L21/33 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 涂超群 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备，压力传感器的制作方法包括以下步骤：在第一图形层的第一区域和第二图形层的第一区域通过离子注入在衬底上形成P型重掺杂层；在第一图形层的第二区域和第二图形层的第二区域通过离子注入在衬底上形成P型轻掺杂层；在第二图形层的对应的缓冲层注入N型重掺杂离子；退火以使得N型重掺杂离子自缓冲层扩散形成第一N型重掺杂层和第二N型重掺杂层，第一N型重掺杂层由N型重掺杂离子扩散至P型轻掺杂层形成，且第一N型重掺杂层不穿透P型轻掺杂层；在缓冲层上设置电极。该压力传感器的制作方法具有制作工艺简单、制造成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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