[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202211020024.4 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115347457A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;张双翔;陈阳华 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/02;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；在所述隔离区的表面内形成深沟槽；在所述器件区的表面上形成外延层，基于所述深沟槽导致的外延生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述深沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构，在所述外延层上形成所述非吸收窗口层，减小了激光器的光学灾变损伤，且采用深沟槽的方式生长所述外延层，无介质膜影响量子阱生长质量，工艺简单可靠，成本低，从而有利于提高生长的外延层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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