[发明专利]一种晶圆后处理装置在审
| 申请号： | 202211022087.3 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115206857A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李灯;曹自立;李长坤 | 申请（专利权）人： | 华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300350 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆后处理装置，其包括：槽体，其内部设置有晶圆后处理模块；顶盖，其设置于槽体的顶部并配置有开口，以经由所述开口取放晶圆；门体，其设置于所述顶盖上方，以打开或关闭所述开口；顶部导流结构，其设置于所述顶盖和门体的上方，以引导滴落至顶盖和门体的液体，远离槽体中放置晶圆的位置。本发明公开的晶圆后处理装置，其结构合理，配置的顶部导流结构能够将滴落在门体、顶盖的液体远离槽体内放置晶圆的位置引导，降低或避免含有颗粒物的液体对晶圆后处理效果的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆后 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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