[发明专利]一种SiGe沟道的形成方法在审
| 申请号： | 202211022413.0 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115458409A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SiGe沟道的形成方法，位于硅衬底上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层上的硅层；硅层上覆盖有硬掩膜层；在硬掩膜层上形成凹槽区域，凹槽区域将硅层的上表面暴露；在凹槽区域形成SiGe薄膜；SiGe薄膜上表面形成有自然氧化层；在反应腔中进行氢气氛围的预处理以去除自然氧化层；在反应腔中进行氨气氛围的预处理以去除自然氧化层，在氨气氛围中对所述SiGe薄膜上表面进行热处理；对SiGe薄膜上表面进行氧化，形成致密氧化层。本发明的方法可有效去除SiGe表面的自然氧化层，并通过后续工艺形成质量更为致密的氧化层，降低SiOx层和SiGe之间的缺陷密度以及SiOx自身的平带电压，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige 沟道 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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