[发明专利]TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法在审
| 申请号： | 202211025232.3 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115346887A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黄金;潘国鑫;杨立友;王继磊;鲁林峰;鲍少娟;白焱辉;郭磊;贾慧君;李东栋 | 申请（专利权）人： | 晋能光伏技术有限责任公司;中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 山西晋扬知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14125 | 代理人： | 张学元 |
| 地址： | 030600 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法，属于太阳能电池制造技术领域。包括：将待检测硅片放置于载板上并运送至检测平台；检测平台检测待检测硅片的方阻和透明导电薄膜的膜厚；控制端根据检测结果判断透明导电薄膜沉积设备当前制备的电池的方阻和/或透明导电薄膜的膜厚是否超过它们各自对应的质量过程控制范围；如果是，修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和/或输出功率；根据修正后的氧气流量和/或输出功率沉积后续运输过来的硅片的透明导电薄膜。本发明提供了智能化调控异质结电池方阻和TCO膜厚的方法，通过该方法调控透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和输出功率，节省人力、浆料和成本。 | ||
| 搜索关键词： | tco 设备 智能化 调控 异质结 电池 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
