[发明专利]蚀刻速率测试方法有效
| 申请号： | 202211028819.X | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115101436B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 欧阳文森;王胜林 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种蚀刻速率测试方法，该蚀刻速率测试方法包括提供一半导体衬底，并在半导体衬底上形成待测膜层，待测膜层包括依次层叠设置于半导体衬底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层具有第一厚度，第二膜层具有第二厚度；采用目标蚀刻液对待测膜层进行蚀刻，并获取待测膜层的当前厚度精准参数；确定当前厚度精准参数是否大于预设值；若否，则返回执行采用目标蚀刻液对待测膜层进行蚀刻的步骤，直至当前厚度精准参数大于预设值为止；若是，则获取待测膜层的当前厚度，并基于第一厚度、第二厚度和当前厚度获取目标蚀刻液蚀刻第二膜层的第一蚀刻速率。本方案可以提高计算蚀刻速率的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 速率 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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