[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 202211033541.5 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115394794A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 罗文哲;王林;王超;黄金德;胡万景;豆正辉;黄楚林;张明涛 | 申请(专利权)人: | 锐芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张瑞 |
地址: | 215301 江苏省苏州市昆山市开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及其形成方法,其中图像传感器包括:衬底,衬底包括像素区和逻辑区;位于像素区内的第一光电掺杂区,衬底表面暴露出第一光电掺杂区表面;位于像素区上的屏蔽栅极结构;与第一光电掺杂区连接的电容结构,不同色彩种类的彩色像素单元中的电容结构的容值不同。像素区上具有屏蔽栅极结构,从而能够通过对屏蔽栅极结构加载工作电压减少暗电流的产生,以提升图像传感器的成像质量。根据不同色彩种类的彩色像素单元的需求调节对应的电容结构的容值,使得不同色彩种类的彩色像素单元均能够达到满阱状态,从而更好还原真实色彩,实现更好的图像质量。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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