[发明专利]场板型半导体器件的电容拟合方法在审
| 申请号： | 202211035225.1 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115392174A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 田伟;蒋胜;宁殿华;熊正兵 | 申请（专利权）人： | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/373 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城区高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种场板型半导体器件的电容拟合方法，所述电容拟合方法包括：S1、基于第一函数Q(x)和第二函数Q'(x)对无场板作用下和有场板作用下的电荷量进行拟合；S2、基于第一函数Q(x)和/或第二函数Q'(x)对电容Cgd、Cgs、Cds对应的电荷量Qgd、Qgs、Qds进行拟合；S3、对电荷量Qgd、Qgs、Qds分别进行微分，得到电容Cgd、Cgs、Cds；S4、根据电容Cgd、Cgs、Cds得到输入电容Ciss、输出电容Coss及反馈电容Coss。本发明通过两个函数组合对电荷量进行非线性拟合，在此基础上拟合得到场板型半导体器件的电容随漏源电压的变化，拟合结果与实测结果吻合度较高，为电路设计、调试和验证提供了准确基础。 | ||
| 搜索关键词： | 场板型 半导体器件 电容 拟合 方法 | ||
【主权项】：
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