[发明专利]半导体器件版图结构、形成方法及测试系统

摘要

本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件版图结构、形成方法及测试系统。该半导体器件版图结构包括：有源版图层，有源版图层包括多个沿第一方向排列的有源图形区；多个子器件版图层，子器件版图层包括栅极图形区；多个接触插塞组，接触插塞组包括源极接触插塞和漏极接触插塞；沿第一方向，相邻子器件版图层的栅极图形区中，后一个栅极图形区与源极接触插塞和/或漏极接触插塞间的间距与前一个栅极图形区与源极接触插塞和/或漏极接触插塞间的间距形成等差数列。该半导体器件版图结构可以提供监控栅极与接触插塞间制程窗口的测试平台，可以从栅极与接触插塞间套刻误差以及栅极特征尺寸的二维分析的角度评估对制程窗口的影响。