[发明专利]一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202211042108.8 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115394855A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法，通过在锗硅主体层与硅盖帽层之间增设锗硅盖帽层，并通过调节锗前体流量以及第一锗硅外延反应气体中各反应气体之间流量比例，实现使锗硅盖帽层中的锗浓度自下而上呈递减状态，从而在锗硅主体层与硅盖帽层之间形成浓度渐变降低的锗硅缓冲层，能够明显减少锗硅本征层与硅盖帽层在界面处发生晶格失配的概率，因此可以有效解决弛豫缺陷问题；并且，本发明通过在形成硅盖帽层前的梯度升温阶段，采用不含锗前体的第二锗硅外延反应气体，对锗硅盖帽层的表面进行活化处理，使锗硅晶体表面始终处于吸热和放热的活跃状态，从而可极大程度地降低在晶体表面产生弛豫的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 锗硅源漏区 pmos 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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