[发明专利]一种铯铜卤晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202211044612.1 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115403065B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 唐江;牛广达;朱劲松;张澳;巫皓迪 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00;B01D9/02 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铯铜卤 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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