[发明专利]等离子体处理装置和异常放电抑制方法在审
| 申请号： | 202211046376.7 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115732306A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 谷川雄洋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明要解决的技术问题是抑制异常放电的发生。本发明提供等离子体处理装置和异常放电抑制方法。腔室能够在其内部实施等离子体处理。载置台配置在腔室内，能够载置基片并且在基片的周围载置环组件。固定部设置在载置台，能够将基片和环组件中的至少一者固定在载置台上。传热气体供给部能够向基片和环组件中的至少一者与载置台之间供给传热气体。RF电源能够向腔室内供给等离子体生成用的RF信号。控制部能够进行控制，使得在将基片和环组件中的至少一者载置在载置台上时，在对基片实施等离子体处理之前，从传热气体供给部供给的传热气体的压力低于对基片实施等离子体处理时从传热气体供给部供给的传热气体的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 异常 放电 抑制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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