[发明专利]一种改善SONOS良率的方法在审
| 申请号： | 202211049305.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115360097A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 戴有江;肖泽龙;董彦德;李灵均 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善SONOS良率的方法。所述方法包括：利用低功率刻蚀机台刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层，以减少在该刻蚀工艺过程中所形成的副产物。在本发明实施例中，由于利用低功率刻蚀机台干法刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层，减少了在该刻蚀工艺过程中所形成的副产物，对所述副产物进行ASH灰化处理，以降低所述副产物的硬度，使其变的疏松，后续通过湿法清洗工艺对副产物进行充分清洗，以减少源极或漏极之间因残留副产物而造成短路的各种缺陷，因此，提高了SONOS产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sonos 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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