[发明专利]一种忆阻器阵列PUF电路及其使用方法在审

专利信息
申请号: 202211049340.4 申请日: 2022-08-30
公开(公告)号: CN115376582A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 甘朝晖;李江南 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C5/14
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种忆阻器阵列PUF电路及其使用方法。其技术方案是:忆阻器阵列PUF电路包括随机延迟电路(101)、M个行控制电路(102)、N个响应输出电路(105)和忆阻器阵列(104)。当本发明工作时,先对忆阻器阵列(104)的所有阵列忆阻器(103)进行复位,然后根据外部输入的激励选中忆阻器阵列(104)中的部分行,再根据随机延迟电路(101)产生的输出信号对选中的行施加持续时间随机的正向电压,以随机减小选中行的阵列忆阻器(103)的阻值,最后对所有的阵列忆阻器(103)施加正向电压,响应输出电路(105)通过比较相邻两列电流流经负载电阻产生的电压得出响应。本发明的熵源利用率高,在具有良好的核心性能指标的前提下抗机器学习能力强。
搜索关键词: 一种 忆阻器 阵列 puf 电路 及其 使用方法
【主权项】:
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