[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202211049834.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115133399B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/20;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔振 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：外延结构、电流注入区和非电流注入区。在外延结构的部分区域沿第一方向依次设置第一非电流注入区、第一电流注入区、第二电流注入区、第二非电流注入区。第一电流注入区和第二电流注入区的电流注入大小不同。上述结构设计，可降低半导体激光器腔面区域的载流子密度，从而降低腔面温度，提高光学灾变损伤阈值。进一步在第二非电流注入区设置第二限制凹槽，一方面进一步降低了前腔面区域的载流子密度，另一方面有效控制第二非电流注入区面积过大带来的损耗增加。本方案可以保持相同注入电流下光功率输出基本相同，同时降低了腔面温度，提高了半导体激光器的最高输出功率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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