[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211057186.5 申请日: 2022-08-30
公开(公告)号: CN115313154A 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 赵飞云;任翱博;巫江;唐枝婷;李妍 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/042;H01S5/183
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 代理人: 李华;温黎娟
地址: 610054 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,涉及半导体激光器领域,解决了现有激光器在大电流注入下阈值高、斜效率低,光电性能不佳的问题,所述激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、氧化层、电子阻挡层、有源区、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极,所述电子阻挡层包括AlxGa1‑xAsySb1‑y,组分变化范围为:x=0.4‑0.8,y=0.8‑1,通过在有源区p侧引入一种含锑元素的电子阻挡层,在不增加串联电阻的前提下,有效降低了激光器的泄漏电流,器件内量子效率大大提升、斜线效率大幅增加。
搜索关键词: 一种 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法
【主权项】:
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