[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202211068385.6 | 申请日: | 2022-09-02 |
公开(公告)号: | CN115295699A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 方斌;陈被被;汪俊;叶铎;刘加云;蔡家豪;林兓兓 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法,至少包括:半导体叠层,所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层;第一电极,与所述第一半导体层连接;第二电极,与所述第二半导体层连接;所述第一电极和/或第二电极依次包括接触层、反射层、中间层和Au层,所述中间层包括交替叠置的Ni层和Pt层,所述Ni层的厚度不大于所述Pt层的厚度,所述Au层包覆接触层、反射层及中间层。本发明可以有效提高电极的热稳定性,削弱电极受应力的影响,从而提高发光二极管的可靠性以及延长发光二极管的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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