[发明专利]MOS与IGBT混合串联逆变电路及其控制方法在审
| 申请号： | 202211081232.5 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115425866A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 许颇;王一鸣;陈泓涛;刘保颂 | 申请（专利权）人： | 锦浪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 路贺贺 |
| 地址： | 315712 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS与IGBT混合串联逆变电路及其控制方法，在工作的过程中，一个所述全桥开关支路中的所述第一开关组经所述交流侧电路与另一个所述全桥开关支路中的所述第二开关组以及所述直流电源串联，构成一个混合串联逆变电路，故而整个电路工作时，通过控制开关的通断让两个混合串联逆变电路交替工作，输出交流电。另外，在一个混合串联逆变电路工作的时候，所述第一开关组中的所述SiC‑MOS管相对于所述第二开关组中的所述第一IGBT管滞后导通、超前关断。通过将传统电路中的部分Si‑IGBT管替换为SiC‑MOS管，并结合相匹配的开关时序，以实现降低逆变电路的开关损耗，提升整体开关频率，优化整机效率，降低电感体积、控制成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | mos igbt 混合 串联 电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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