[发明专利]陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构有效
| 申请号： | 202211082049.7 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115172176B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 钟永辉;苗冠男;徐佩峰;魏四飞;方军;曾辉;史常东 | 申请（专利权）人： | 合肥圣达电子科技实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/15;H01L23/26;H01L23/498;H01L23/552 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 金宇平 |
| 地址： | 230088 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构。陶瓷基板制备方法包括：采用HTCC工艺制备信号屏蔽通孔被导体材料填充的陶瓷板材，将陶瓷板材研磨至设定厚度作为陶瓷基板，在陶瓷基板上打孔作为信号传输通孔；在陶瓷基板上依次溅射钛层和钯层；然后遮挡预设的吸氢区，未遮挡区域为蚀刻区；在蚀刻区镀铜直至铜导体填充信号传输通孔，然后在镀设的铜层上采用电镀或者溅射的方式依次形成镍层和金层。本发明中在陶瓷基板上预留了仅附着有钛层和钯层的吸氢区，如此可通过钛与氢反应实现自主吸氢，避免氢元素腐蚀元件。本发明避免了烘烤氢及外贴吸氢剂的不良。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 及其 制备 方法 微波 器件 封装 外壳 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
