[发明专利]一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，包括在基板上设置有两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT，所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有第二金属层，所述第二金属层之上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层之上设置有有源层，所述有源层上设有第三金属层，所述第三金属层通过所述第一通孔和所述第一金属层和或第二金属层电连接，所述第三金属层上设有第三绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度不同。本发明针对TFT在所处电路中工作状态的不同进行结构差异化设计，使得各枚TFT在长时间的工作状态下仍能维持Vth的一致性，避免电路失效。