[发明专利]图案制备方法、电子器件和三维存储器在审
| 申请号： | 202211085152.7 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115376913A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘雅琴;刘威;陈亮;王言虹;黄磊;向政 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/033;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种图案制备方法、电子器件和三维存储器，涉及集成电路的制造领域，旨在解决形成图案的方法对制备工艺要求高的问题。图案制备方法包括：在目标刻蚀层上形成沿第一方向排列的多个芯模图案。形成覆盖多个芯模图案的第一材料层，刻蚀第一材料层以形成多个侧墙。去除多个芯模图案，形成被多个侧墙间隔开的多个槽；在多个侧墙远离目标刻蚀层的一侧设置掩膜图案层，掩膜图案层包括至少一个掩膜图案，掩膜图案具有镂空部。在未被掩膜图案层遮挡的槽的位置处，刻蚀目标刻蚀层，以形成第一容置槽；在槽中与镂空部对应的位置处刻蚀目标刻蚀层，以形成第二容置槽。在第一容置槽和第二容置槽中分别形成第一图案和第二图案。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 制备 方法 电子器件 三维 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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