[发明专利]半导体器件和形成RDL混合内插器衬底的方法在审
| 申请号： | 202211089318.2 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115995435A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 金钟泰;赵南柱;崔涬喆 | 申请（专利权）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/498;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;周学斌 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和形成RDL混合内插器衬底的方法。一种半导体器件具有第一衬底和设置在第一衬底上的第一电部件。第一电部件具有第二衬底和形成在第二衬底上的再分布层。第一电部件设置在再分布层上。散热器设置在第一电部件上。散热器设置在第一电部件上。散热器具有第一水平部分、从第一水平部分垂直偏移的第二水平部分、以及从第二水平部分连接第一水平部分的倾斜部分。第二水平部分附着到第一衬底的靠近第一电部件的第一侧的表面。散热器靠近第一电部件的第一侧附着到第一衬底并且靠近第一电部件的第二侧保持开放。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 rdl 混合 内插 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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