[发明专利]交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜在审
申请号: | 202211090517.5 | 申请日: | 2022-09-07 |
公开(公告)号: | CN115602411A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 王向谦;何开宙;谢明玲;刘斌;李钰瑛 | 申请(专利权)人: | 甘肃省科学院传感技术研究所 |
主分类号: | H01F10/00 | 分类号: | H01F10/00;H10N50/10;H10N50/85 |
代理公司: | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人: | 黄鑫 |
地址: | 730030 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜,由下而上依次包括:衬底、缓冲层、种子层、人工合成反铁磁层和覆盖层;其中,人工合成反铁磁层由两个具有垂直磁各向异性的复合磁性层中间夹一层非磁性的隔离层构成。本发明通过调节中间层隔离厚度以及磁性层参数,就可以改变两铁磁层之间的反铁磁耦合强度,从而实现对p‑SV交换偏置场的连续调控。本发明涉及磁性薄膜材料技术领域,本发明决现有技术中p‑SV交换偏置场不易连续调控的问题。 | ||
搜索关键词: | 交换 偏置 连续 调控 垂直 各向异性 人工合成 反铁磁 耦合 多层 | ||
【主权项】:
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