[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202211098574.8 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115841960A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 糸井清一;生田敬子;樱井大辅 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;G03F7/30;G03F7/34;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置，该制造方法包括：提供具有电极端子的半导体元件的工序；在半导体元件上形成具有面向电极端子的第1面和与第1面相反的第2面的保护层的工序；提供具有第3面和从第3面突起的突起部的压印模具的工序；以压印模具的第3面与保护层的第2面对置且突起部与电极端子对齐的方式，将压印模具配置在保护层的第2面上，通过将突起部插入保护层而在保护层形成开口部的工序；向保护层施加能量而使保护层固化的工序；使保护层与显影液反应而使开口部沿径向扩展的工序；向开口部填充金属而形成凸块的工序，对保护层进行开口的工序在保护层的第2面与压印模具的第3面之间设置有间隙的状态下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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