[发明专利]一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法有效
| 申请号： | 202211098655.8 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115172192B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 黄文勇 |
| 地址： | 311100 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成。本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多芯粒晶圆级 集成 混合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
