[发明专利]半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202211099471.3 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN116075154A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨号号 | 申请（专利权）人： | 仲联半导体（上海）有限公司;至讯创新科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00;H10B41/35 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 吴浩 |
| 地址： | 200122 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘层；绝缘层上形成多个栅极结构；在相邻的栅极结构的侧壁，以及被暴露的绝缘层上形成刻蚀阻挡层；对相邻的栅极结构之间空隙处的绝缘层以及半导体衬底进行干法刻蚀，形成多个沟槽；对沟槽的表面进行湿法刻蚀，在沟槽的侧壁和底部形成氧化层；形成向下延伸至半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；对栅极结构上的栅介质层以及栅极结构中的部分硬掩膜层进行化学机械研磨，以露出栅极结构；回蚀刻去除浅沟槽隔离结构中的部分栅介质层，以露出栅极结构的部分侧壁。该方法可以改善现有二维存储器制造过程造成的栅极结构的侧壁损伤问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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